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本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。
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